In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现在氮
镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预期能
用在磁性记忆体的元件和
体电路的材料上。
学气相
（学气相淀等于Chemical vapor deposition）In this study, gallium nitride nanowires were successfully grown on Silicon substrate using a simple resistive heated furnace, APCVD system, at room temperature.
发现在氮镓材料上具有室温铁磁性的性质，被预期能用在磁性记忆体的元件和体电路的材料上。
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